Produktkategorie: | MOSFET | |
RoHS: | Details | |
Technologie: | Si | |
Montageart: | SMD/SMT | |
Verpackung/Gehäuse: | DPAK-3 | |
Transistorpolung: | P-Channel | |
Anzahl der Kanäle: | 1 Channel | |
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: | 30 V | |
Id - Drain-Gleichstrom: | 40 A | |
Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 20 mOhms | |
Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 25 V, + 25 V | |
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: | 3 V | |
Qg - Gate-Ladung: | 24 nC | |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C | |
Maximale Betriebstemperatur: | + 175 C | |
Pd - Verlustleistung: | 52 W | |
Kanalmodus: | Enhancement | |
Konfiguration: | Single | |
Abfallzeit: | 21 ns | |
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: | 26 S | |
Höhe: | 2.39 mm | |
Länge: | 6.73 mm | |
Produkt-Typ: | MOSFET | |
Anstiegszeit: | 11 ns |
Diesen Artikel haben wir am 22.10.2023 in unseren Katalog aufgenommen.